職種 | パワー半導体デバイス信頼性評価技術開発 |
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仕事内容 | 【ポジション】パワー半導体デバイス信頼性評価技術開発 各部門のリーダーとして海外のファンダリーメーカーエンジニアや設計者と連携を取っていただく 【事業内容・会社の特長】 1.高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協力して行う。 2.高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を行う。 3.大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって当分野のリーディングカンパニーを目指す。 【経験者募集】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下の経験がある方(1項目の該当が必要) 1.パワー半導体デバイス(SBD, DMOS, トレンチMOS,IGBT等)のチップ設計、開発 2.ファウンドリーでのデバイス試作 3.デバイスシミュレーター(Synopsis Sentaurusなど)の使用 4.パワー半導体デバイスのPKG, モジュールの設計、開発 【企業概要】 会社設立日 2019年 資本金 3000万円 従業員数 3名 |
就業場所 | 京都府京都市西京区 |
事業所名 | 社名非公開 |
雇用形態 | 正社員 |
学歴 | 高専卒以上 |
経験 | パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関しての経験がある方 |
活躍している年齢層 | 22歳~65歳 |
就業時間 | 専門業務型裁量労働制:1日8時間 |
給与 | 想定年収 500万~1,000万 |
休日 | 完全土日祝休み ◇ 年間休日120日以上 ◇ 年末年始休暇 |
待遇 | 【給与備考】 年俸 5,000,000円 ~ 10,000,000円 支払方法:年俸の1/12を毎月支給 ◇ 雇用保険 ◇ 厚生年金 ◇ 労災保険 ◇ 健康保険 ◇ 交通費支給あり ◇ 服装自由 |
備考 |
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